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我国目前通常按介电常数分为：低介ε≤20；中介ε~40；高介ε~100三大类。必须指出，高性能微波陶瓷的技术含量高，研制难度大，尤其是精确测定微波频率下的Q0。随着科学技术不断进步，使用频率越来越高，从几百兆正向着数十兆方向发展，近期可望达~40G。国际上美国已完成ε从2~250系列化研究工作，日、俄、德、法等少数国家已掌握高性能微波陶瓷的生产技术，由于技术垄断和保密等原因，微波陶瓷元器件的售价昂贵。当前为满足移动电话、汽车雷达、卫星通讯、全球定位系统、射频控制、基地站等民用及**技术对微波陶瓷元器件日益增长的需要，在微波陶瓷材料取得进展的基础上，进一步研究开发高性能同轴谐振器、柱状、环状谐振器、补丁天线等微波陶瓷元器件已提到重要议事日程。特种陶瓷——江苏中超金属科技的创新引擎，驱动行业前行。新吴区进口特种陶瓷

目前国内外主要采用Al2O3陶瓷作为集成电路基板材料，然而随着电子元器件向高性能、高密度、大功率、小型化、低成本方向发展，迫切希望采用高导热系数陶瓷基板，理论上**适宜的候选材料有金刚石（C）、立方氮化硼（BN）、氧化铍（BeO）、碳化硅（SiC）和氮化铝（AlN）等。由于AlN导热系数高达250W·m-1·K-1，虽比SiC及BeO略低，但比Al2O3略高8~10倍，其体积电阻率，击穿强度，介电损耗等电气性能可与Al2O3瓷媲美，且介电常数较低，机械强度也较高，热膨胀系数为4.4ppm/℃，接近于Si可进行多层布线。锡山区特种陶瓷订做价格特种陶瓷——江苏中超金属科技的璀璨明珠，照亮前行的道路。

目前特种陶瓷的主要烧结方法有：热压烧结、反应热压烧结、热等静压烧结法、反应烧结法、气氛烧结法、化学气相沉积法、溅射法等。1热压烧结热压烧结是对较难烧结的粉料或生胚在模具内施加压力，同时升温烧结的工艺。热压烧结的是可降低成型压力，烧结温度低无需加入烧结促进剂，能改善制品性能。但其过程及设备复杂，生产效率低，生产控制较难，模具材料要求高，能耗大。该法已用于A陶瓷车刀的制备，在,PZT，Si3N4等材料生产中也有广泛应用。2FCa2FCa2FCa2反应热压烧结高温下粉料可能发生某种化学反应过程，利用这一化学反应进行的热压烧结工艺称为。

通过多孔胚体同气相或液相发生化学反应，使胚体质量增加，空隙减小，并烧结成一定强度和尺寸精确的成品的一种烧结工艺。此法有如下两个：(1)提高制品质量，烧成的制品不收缩，尺寸不变化；(2)反应速度快，传质和传热过程贯彻在烧结全过程。普通烧结法物质迁移过程发生在坯体颗粒与颗粒的局部，反应烧结法物质迁移过程发生在长距离范围内。分为液相反应烧结和气相反应烧结两类。采用前一类的居多。烧结氧氮化硅坯件时添加硅、二氧化硅和氟化钙(或氧化钙、氧化镁等，玻璃相形成剂)同氮反应生成二氮氧化二硅(Si2ON2)，氧化钙、氧化镁等同二氧化硅形成玻璃相，氮溶解在焙融体(玻璃相)中；Si2ON2，晶体从被氮饱和的玻璃相中析出。这样制出的氧氮化硅的密度可相当于理论密度90%以上。在江苏中超金属科技，感受特种陶瓷带来的震撼与惊喜。

  与普通热等静压烧结相比，有如下优点：降低成本，无需投资大的热等静压机，并取消了包套和剥套工序，所需气体量比热等静压烧结的要少；生产率高，适宜批量生产，采用特殊成型法，可生产异型制品，无需后续加工。热等静压（HP）利用常温等压工艺与高温烧结合的新技术，解决了普通压中缺乏横向压力和制品密度不均匀的问题，并可使纳米陶瓷的致密度进一步提高。所采用高温等静压工艺，制备了纳米结构的单相SiC及Si 3 N 4 / SiC复相陶瓷，在温度为1850℃，压力 200MPa条件下保温1h，可获得晶粒尺寸 100nm，结构均匀，致密的单相SiC纳米结构陶瓷。在温度在1750℃，压力150MPa 条件下保温1h，可获得晶粒尺寸50nm左右，结构致密，均匀的复相Si 3 N 4 /SiC纳米陶瓷。江苏中超金属科技，用特种陶瓷诠释科技与艺术的完美融合。新吴区进口特种陶瓷

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也是在真空条件下进行的，特点是基片毋须加热。工作时将待沉积的基片置于真空罩内，令被覆面紧靠着一块瓷片，该瓷片是有作为被覆用的瓷料制成的，此瓷片称为靶。当靶受到高达的高度集中的电子束能量轰击时，靶材上的原子被轰出，并沉积于靠近它的被覆基体表面，在此表面上逐步成核长大，形成一层多晶瓷膜。28/10cmW8随着科学技术的不断发展，烧结特种陶瓷还有电场烧结、微波烧结、自蔓延高温合成烧结等新颖的烧结方法。按化学成分的不同，特种陶瓷可以分为以下几种：①氧化物陶瓷：氧化铝、氧化锆、氧化镁、氧化钙、氧化铍、氧化锌、氧化钇、二氧化钛、二氧化钍、三氧化铀等。②氮化物陶瓷：氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化铀等。③碳化物陶瓷：碳化硅、碳化硼、碳化铀等。④硼化物陶瓷：硼化锆、硼化镧等。⑤硅化物陶瓷：二硅化钼等。⑥氟化物陶瓷：氟化镁、氟化钙、三氟化镧等。新吴区进口特种陶瓷

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